防止过电压作用于晶闸管的保护措施一般有(D)。

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晶闸管的过电压保护常用的保护措施如下：
　　1、晶闸管关断过电压（换流过电压）保护
　　当晶闸管关断、正向电流下降到零时，管芯内部会残留许多载流子，在反向电压的作用下会瞬间出现反向电流，使残存的载流子迅速消失，形成极大的di/dt。即使线路中串联的电感很小，由于反向电势V＝-Ldi/dt，所以也能产生很高的电压尖峰（或毛刺），如果这个尖峰电压超过晶闸管允许的最大峰值电压，就会损坏器件。对于这种尖峰电压一般常用的方法是在器件两端并联阻容吸收回路，利用电容两端电压不能突变的特性吸收尖峰电压。阻容吸收回路要尽可能靠近晶闸管A、K端子，引线要尽可能短，最好采用无感电阻，千万不能借用门极回路的辅助阴极导线（因辅助阴极导线的线径很细，回路中过大的电流会将该线烧断）。
　　2、交流侧过电压及其保护
　　交流侧电路在接通、断开时会产生过电压。对于这类过电压保护，目前主要采用压敏电阻和瞬态电压抑制器（Transient Voltage Supperessor简称TVS）。
　　压敏电阻是一种非线性元件，它是以氧化锌为基体的金属氧化物，有两个电极，极间充填有氧化铋等晶粒。正常电压时晶粒呈高阻，漏电流仅有100uA左右，但过电压时发生的电子雪崩使其呈低阻，电流迅速增大从而吸收了过电压。其接法与阻容吸收电路相同，在交、直流侧完全可以取代阻容吸收，但不能用来作为限制dv/dt的保护，故不宜连接在
晶闸管的两端。TVS类器件当其两端受到瞬时高压时，能在极短的时间内（10-12S）从高阻变为低阻，吸收高达数千瓦的浪涌能量。

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