绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管。

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电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 　　P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 　　导电：在栅源极间加正电压UGS 　　当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极晶体管）
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通.反之,加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断.IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性.当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。

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